Crytur社
パッシブQスイッチ ―V:YAG可飽和吸収体―
Passive Q-switch − V:YAG Saturable Absorber |
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四面体に3価のバナジウム(V3+)がドープされたYAG結晶は1.3um近傍で動作させるレーザにとって効率的なパッシブ吸収体です。Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:KGWやNd:YVO4のような多くの活性媒質があれば、フラッシュランプやダイオード励起下で、効率的なQスイッチやモードロックが可能です。
波長1.3umでのV:YAG特性
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基底状態吸収断面積
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7.2
x 10-18cm2
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励起状態吸収断面積
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7.4
x 10-19cm2
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回復時間
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5 - 22ns
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吸収係数(標準V3+ドープ量)
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2.2cm-1
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V:YAG板は広範囲の初期透過率数値で利用できます。直径は2 ~ 10mmです。 |
■アプリケーション例:■
QスイッチNd:YAG-V:YAGマイクロチップレーザ
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