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BATOP社のLT-GaAsウェハは、半絶縁性GaAs基板上にエピタキシーで
LT-GaAsを成長させます。
新規に高抵抗のLT-InGaAsウェハも取扱いを開始しました。
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特長 |
- キャリア緩和時間500fs
- 励起波長800〜1100nm対応 (LT-InGaAs)
- 表面抵抗値2GOhm以上(LT-InGaAs)
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| 直径 |
2インチ または 4インチ |
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| キャリア緩和時間 |
約500fs (期待値) |
| LT-InGaAs表面抵抗 |
>2GOhm |
| LT-(In)GaAs層 |
■LT-GaAs
1.5, 2 及び3umからご指定下さい
■LT-InGaAs
3um |
| バッファ層 |
厚み132nm、AlAs |
半絶縁性
GaAs基板厚み |
■2インチ径ウェハの場合
350 または 400um
■4インチ径ウェハの場合
625um |
※仕様は予告なく変更される場合があります。
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| カッティングオプションもございます。ご希望の場合はお知らせください。 |
