PCA用

LT-GaAsウェハ & LT-InGaAsウェハ

PCA;   
LT-GaAs;
LT-InGaAs;
Photoconductive Anntena for THz Applications
Low temperature grown Gallium Arsenide
Low temperature grown Indium Gallium Arsenide

BATOP社のLT-GaAsウェハは、半絶縁性GaAs基板上にエピタキシーで
LT-GaAsを成長させます。

新規に高抵抗のLT-InGaAsウェハも取扱いを開始しました。


LT-GaAs
特長
  • キャリア緩和時間500fs
  • 励起波長800〜1100nm対応 (LT-InGaAs)
  • 表面抵抗値2GOhm以上(LT-InGaAs)


直径 2インチ または 4インチ
キャリア緩和時間 約500fs (期待値)
LT-InGaAs表面抵抗 >2GOhm
LT-(In)GaAs層 ■LT-GaAs
   1.5, 2 及び3umからご指定下さい

■LT-InGaAs
    3um
バッファ層 厚み132nm、AlAs
半絶縁性
GaAs基板厚み
■2インチ径ウェハの場合
  350 または 400um

■4インチ径ウェハの場合
  625um
※仕様は予告なく変更される場合があります。
カッティングオプションもございます。ご希望の場合はお知らせください。




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