可飽和吸収ミラー     
SAM − Saturable Absorber Mirror

波長1150nm 標準品一覧

品番 高反射波長領域 飽和吸収率 不飽和損失 飽和フルエンス 緩和時間係数
SAM-1150-3-500fs-x 1110…1190nm (R>96%) 3% - 110uJ/cm2 〜500fs
SAM-1150-4-500fs-x 1110…1200nm (R>96%) 4% 70uJ/cm2
SAM-1150-6-500fs-x 1110…1190nm (R>94%) 6% 90uJ/cm2
SAM-1150-26-1ps-x 1080…1200nm (R>72%) 26% 10% 900uJ/cm2 〜1ps
SAM-1150-32-1ps-x 1080…1200nm (R>66%) 32% 12% 70uJ/cm2

※ 品番中のxには、ご希望に応じて以下の数字・アルファベットが入ります。
   【例】 SAM-800-4-1ps-12.7g


x=4.0-0 マウントなし, チップサイズ 4 mm x 4 mm, チップ厚み 400um
x=1.0b-0 マウントなし, チップサイズ 1 mm x 1 mm もしくは 1.3 mm x 1.3 mm,
チップ厚み 400 μm, 1バッチ5個
x=1.3b-0 マウントなし, チップサイズ1.3 mm x 1.3 mm,
チップ厚み 400 μm, 1バッチ5個
x=12.7g φ12.7mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=25.0g φ25.0mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=25.4g φ25.4mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=12.7s φ12.7mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.0s φ25.0mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.4s φ25.4mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.0w φ25.0mmの水冷式ヒートシンクに接着剤でマウント
x=25.0h φ25.0mmのヒートシンクにハイパワー用として半田付けでマウント
x=FC/PC 両端子FCコネクタ/PC研磨のシングルモードファイバ(1m)のフェルール上にマウント
パッシブヒートシンクもしくはアクティブヒートシンク付きも可能

x=FC/APC


両端子FCコネクタ/APC研磨のシングルモードファイバ(1m)のフェルール上にマウント
パッシブヒートシンクもしくはアクティブヒートシンク付きも可能

※ファイバカップル型のSAMの場合は、HI980、HI1060、1060XP、またはPM980-XPをご指定頂けます。


※ 特注仕様での作製も承ります。お問合せ下さい。

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