可飽和吸収ミラー     
SAM − Saturable Absorber Mirror

波長2000nm 標準品一覧

品番 高反射波長領域 飽和吸収率 不飽和損失 飽和フルエンス 緩和時間係数
SAM-2000-13-10ps-x 1880…2040nm (R>83%) 13% 5% 20uJ/cm2 〜10ps
SAM-2000-20-10ps-x 1890…2060nm (R>78%) 20% 8% 65uJ/cm2
SAM-2000-30-10ps-x 1910…2080nm (R>65%) 30% 12% 70uJ/cm2
SAM-2000-36-10ps-x 1900…2060nm (R>65%) 36% 16% 35uJ/cm2
SAM-2000-43-10ps-x 1900…2050nm (R>45%) 43% 18%
SAM-2000-44-10ps-x 1900…2080nm (R>55%) 44% 65uJ/cm2

※ 品番中のxには、ご希望に応じて以下の数字・アルファベットが入ります。
   【例】 SAM-1510-6-10ps-12.7g


x=4.0-0 マウントなし, チップサイズ 4 mm x 4 mm, チップ厚み 400um
x=1.0b-0 マウントなし, チップサイズ 1 mm x 1 mm もしくは 1.3 mm x 1.3 mm,
チップ厚み 400 μm, 1バッチ5個
x=1.3b-0 マウントなし, チップサイズ1.3 mm x 1.3 mm,
チップ厚み 400 μm, 1バッチ5個
x=12.7g φ12.7mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=25.0g φ25.0mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=25.4g φ25.4mmのヒートシンクに熱伝導率の高い接着剤でマウント
x=12.7s φ12.7mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.0s φ25.0mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.4s φ25.4mmのヒートシンクに半田付けでマウント
x=25.0w φ25.0mmの水冷式ヒートシンクに接着剤でマウント
x=25.0h φ25.0mmのヒートシンクにハイパワー用として半田付けでマウント
x=FC/PC 両端子FCコネクタ/PC研磨のシングルモードファイバ(1m)のフェルール上にマウント
パッシブヒートシンクもしくはアクティブヒートシンク付きも可能

x=FC/APC


両端子FCコネクタ/APC研磨のシングルモードファイバ(1m)のフェルール上にマウント
パッシブヒートシンクもしくはアクティブヒートシンク付きも可能

※ファイバカップル型のSAMの場合は、SMF28、PM1550-HP、SM2000、またはPM1950をご指定頂けます。

※ 特注仕様での作製も承ります。お問合せ下さい。

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株式会社ハナムラオプティクス