● 低コストの780nm〜830nm励起
● 1088nmのレーザ出力
ファイバレーザの出現により、レーザについての考え方を大きく変えなくてはならなくなりました。
これは、半導体素子の発明以来の事です。
ファイバレーザはコンパクトで、最小の挿入損失で従来の光ファイバに接続する事が要求されます。
Qスイッチでの性能は、光通信リンクでの不具合箇所やセンサー向けの高解像度OTDRに最適です。
さらに、設計によっては、ジャイロスコープを含むファイバ光センサーに必要となる低い一時的な
コヒーレンスや優れた温度安定性が得られます。
DF1000はファイバレーザ技術に初めて触れるには、理想的といえるでしょう。
Ndドープファイバは、非常にレーザ発振しきい値が低く、低価格の「コンパクト・ディスク」タイプの半導体レーザで
励起することも出来ます。
出力波長は構成によりますが、一般的には1064nmから1088nmの間です。
■ 仕 様
品 番 |
DF1000 |
動作波長 |
1085nm |
カットオフ波長 |
875-1025nm |
N. A. |
0.18-0.22 |
モードフィールド径 |
3.9-5.0um@1085nm |
吸収 |
4.5 (典型値)@780nm
8.5(典型値)@810nm
3.5(典型値)@830nm |
減衰 |
≦20dB/km@1085nm |
コアの構成 |
石英/Ge/Nd |
プルーフテスト |
1% (100kpsi) |
クラッド径 |
125um±1um |
コアの偏心 |
≦0.5um |
コーティング径 |
245um±7um |
コーティングタイプ |
2層アクリレート |
動作温度 |
-55-85℃ |
詳細につきましては、メーカ仕様書をご参照下さい。
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