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 ● 低コストの780nm〜830nm励起
 
 ● 1088nmのレーザ出力
 
 
 ファイバレーザの出現により、レーザについての考え方を大きく変えなくてはならなくなりました。
 これは、半導体素子の発明以来の事です。
 ファイバレーザはコンパクトで、最小の挿入損失で従来の光ファイバに接続する事が要求されます。
 Qスイッチでの性能は、光通信リンクでの不具合箇所やセンサー向けの高解像度OTDRに最適です。
 
 さらに、設計によっては、ジャイロスコープを含むファイバ光センサーに必要となる低い一時的な
 コヒーレンスや優れた温度安定性が得られます。
 
 DF1000はファイバレーザ技術に初めて触れるには、理想的といえるでしょう。
 Ndドープファイバは、非常にレーザ発振しきい値が低く、低価格の「コンパクト・ディスク」タイプの半導体レーザで
 励起することも出来ます。
 出力波長は構成によりますが、一般的には1064nmから1088nmの間です。
 
 
 ■ 仕 様
 
        
          
            | 品 番 | DF1000 |  
            | 動作波長 | 1085nm |  
            | カットオフ波長 | 875-1025nm |  
            | N. A. | 0.18-0.22 |  
            | モードフィールド径 | 3.9-5.0um@1085nm |  
            | 吸収 | 4.5 (典型値)@780nm 8.5(典型値)@810nm
 3.5(典型値)@830nm
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            | 減衰 | ≦20dB/km@1085nm |  
            | コアの構成 | 石英/Ge/Nd |  
            | プルーフテスト | 1% (100kpsi) |  
            | クラッド径 | 125um±1um |  
            | コアの偏心 | ≦0.5um |  
            | コーティング径 | 245um±7um |  
            | コーティングタイプ | 2層アクリレート |  
            | 動作温度 | -55-85℃ |  
 詳細につきましては、メーカ仕様書をご参照下さい。
 
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