可飽和吸収ミラー
SAM － Saturable Absorber Mirror |
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| 固体レーザ/ファイバレーザ/マイクロチップレーザ光のパッシブモードロックに最適 |
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超短パルス光を連続的に発振させるパッシブモードロックは、
パッシブデバイスをレーザ共振器内に組み込むだけで済むことから、
アクティブモードロックよりも好まれています。
パッシブモードロックデバイスである可飽和吸収ミラー（SAM）は、
各種のレーザ共振器内で使用されており、CWレーザモードを
下記の可飽和吸収メカニズムによりフェイズロックすることで、
フェムト秒～ピコ秒幅の光パルスを出力します。
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＜可飽和吸収メカニズム＞
低強度のCWレーザ光入射においては、吸収体は飽和状態にはならず、光エネルギーを吸収しレーザ発振を抑えます。
一方、高強度のCWレーザ光入射においては、吸収体が飽和状態になると、共振器内の光エネルギーの多くが吸収されずに
ミラーで反射され、Qスイッチモードロックを起こします。
さらに、パルス前面の光が吸収されることで、反射する度にパルス幅が狭くなり、鋭いパルスが得られます。
■ 標準品 ■
| - |
高反射帯域 |
飽和吸収率 (A0) |
緩和時間 (t) |
チップサイズ |
| 800nm |
780 - 845nm |
5 - 10% |
1ps |
4 x 4mm
（空間用）
1 x1mm
1.3 x 1.3mm
（ファイバ用） |
| 940nm |
900 - 990nm |
4 - 30% |
1ps |
| 980nm |
910 - 1030nm |
2 - 70% |
500 fs |
| 1040nm |
960 - 1120nm |
0.5 - 64% |
500fs/3ps/10ps/25ps |
| 1064nm |
990 - 1130nm |
0.6 - 70% |
1ps/3ps/10ps/25ps/100ps |
| 1100nm |
1020 - 1150nm |
30 - 90% |
500fs |
| 1150nm |
1080 - 1200nm |
3 - 32% |
500fs/1ps |
| 1300nm |
1220 - 1340nm |
4 - 12% |
10 ps |
| 1340nm |
1260 - 1400nm |
1 - 15% |
1ps |
| 1420nm |
1360 - 1460nm |
1, 4% |
10ps |
| 1510nm |
1470 - 1570nm |
6, 11% |
10 ps |
| 1550nm |
1440 - 1640nm |
2 - 50% |
3ps/ 10ps |
| 1920nm |
1880 - 1980nm |
2, 4, 7, 8% |
500fs |
| 1960nm |
1890 - 2080nm |
5 - 54% |
500fs |
| 2000nm |
1900 - 2080nm |
8 - 25% |
500fs |
| 2400nm |
2300 - 2650nm |
1% |
500fs |
| 3000nm |
2000 - 3400nm |
33% |
10ps |
| ブロードバンド2000nm |
1700 - 2150nm |
2% |
1ps |
■ マウントの種類 ■
◎ SAMチップは、ヒートシンクやファイバケーブルのフェルールにマウントし納品することが可能です。
| ①
銅ヒートシンク |
サイズ：φ12.7mm、φ25.0mm、φ25.4mm
マウント位置：ヒートシンク中央、エッジ
接着方法：接着剤、半田付け |
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| ②
水冷＋銅 |
ハイパワー用
サイズ：φ25.0mm
マウント位置：ヒートシンク中央、エッジ
接着方法：半田付け |
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| ③
水冷＋銅＋裏面Ti/Au蒸着 |
ハイパワー用、熱伝導効率最大
サイズ：φ25.0mm
マウント位置：ヒートシンク中央、エッジ
接着方法：半田付け |
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| ④
PHS |
ファイバカップル用ヒートシンク [1]
ファイバ端面にマウントされたSAM用 |
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| ⑤
FM1.3 |
ファイバカップル用ヒートシンク [2] （FC/PCのみ）
ヒートシンクに1.3 x 1.3mmチップをマウント
ファイバコード、SAMは取り外し可能
SAMの位置も調整可能 |
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※ 特注仕様での作製も承ります。お問合せ下さい。
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